Innovation

Wir verwenden SiGe Quantenpunkte und nasschemisch hergestellte Nanokristalle um neue Funktionalitäten und Einsatzflexibilität zu Standard Silizium Technologie hinzuzufügen, um damit siliziumbasierte optoelektronische und spintronische Bauelemente zu entwickeln.

Für die Herstellung von Bauelementen basierend auf Quantenpunkten oder Nanokristallen besteht unsere Lösung darin, diese auf durch NIL vordefinierte  Stellen zu deponieren, was die Adressierbarkeit von einzelnen Nanokristallen/Quantenpunkten ermöglicht.
Im Gegensatz zu alternative Lithographieverfahren mit der benötigten Ortsauflösung (Elektronenstrahllithographie), verwenden wir NIL als effiziente parallele Technologie, die das Strukturieren von großen Flächen mit Strukturen mit Abmessungen von wenigen 10nm in einem einzigen Schritt ermöglicht.

Zusammenfassung und Ergebnisse

In diesem Projekt wird ein Prozess basierend auf UV-NIL entwickelt, der die Herstellung von großflächigen (cm²) defektfreien Silizium Vorlagen erlaubt (Strukturgrößen 50nm, Periode 100nm). Diese Vorlagen werden verwendet werden, um das Wachstum von Germanium Quantenpunkten mit hoher Gleichförmigkeit an vordefinierten Positionen zu optimieren. Mögliche Anwendungen von diesen goßflächig geordneten Nanostrukturen sind im Bereich Optoelektronik, Spintronik und Nanoelektronik zu finden.

Die folgenden Punkte sind Hauptziele im Projekt:

• Etablierung von NIL für die Herstellung von großflächigen, quasi defektfreien Si Vorlagen mit hoher Stukturdichte (>1010cm-2) für das kontrollierte deponieren von Quantenpunkten und Nanokristallen.
• Die Untersuchung des Einflusses der Parameter des Musters auf die Anordung der Quantenpunkte/Nanokristalle.
• einzweiter zum ersten ausgerichteter Imprint um periphere Wellenleiter oder Kontakte zu definieren